
Uc/UImA (2)
的電壓.測(cè)其初始漏電流Ioh。經(jīng)過(guò)1000h后測(cè)其終止時(shí)漏電流I100h。如果I100h<2Ioh,則認(rèn)為該閥片在常溫下、荷電率K2=0.75時(shí)可運(yùn)行100年。通常制造水平高的ZnO閥片K2=0.8,而在設(shè)計(jì)及使用中一般取k2<0.8。信息整理:cnzwjs.com
(2Us+1)×0.75×1.15 (3)
=4kV。將Uc=4kV代入荷電率公式(2)可得K2=0.5,這樣的荷電率是可以長(zhǎng)期運(yùn)行的。如果發(fā)生單相接地.作用在健全相的MOA 上所承受的持續(xù)運(yùn)行電壓的
倍相電壓,甚至更高。此時(shí)荷電率K"2為:
×
Uc/UImA (5)
Uc (6)
kUc (7)
倍的相電壓。以
Uc=7.6kv.將U"c取代(7)式中的Uc并取ZnO閥片的最高制造水平即K=1.5,從(7)式中可得相對(duì)地之間的操作沖擊電流殘壓為U100A=16kV.再由(4)式可求出相對(duì)相之同的殘壓為U相間=32kV,都超過(guò)了電機(jī)絕緣所允許的值UR=15.9kV。

(10)
式中 Uo-------初始電壓
U---------限制電壓
對(duì)于本文所述的四星形接法的MOA,其過(guò)電壓吸收能量為:
Wz=_U-IT
式中l(wèi)t一2ms方波通流量
現(xiàn)假定限制電壓U為15KV。忽略阻容過(guò)電壓吸收器的初始電壓Uo并設(shè)C=0.1μF,ZnO閥片的電流為400A,由此可得出Wc=11.25J,Wz=12000J。阻容過(guò)電壓吸收的能量遠(yuǎn)小于TBP吸收的能量,如此小的Wc不能滿足限壓的要求,較小的開(kāi)關(guān)截流值將引起電容器上的充電電壓超過(guò)限制值,在這一方面TBP顯然優(yōu)于阻容過(guò)電壓吸收器。
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